摘要：本發(fā)明提出一種GaN基孔狀光子晶體LED的制備方法，包括：生長GaN基LED外延片，并在外延片上勻底膠；利用孔狀硬模板進(jìn)行納米壓印，脫模后在外延片底膠表面上形成一層柱狀陣列圖案；在柱狀陣列圖案上勻第二層膠，其中該第二層膠為硅摻雜膠；依次進(jìn)行硅刻蝕直至柱狀陣列圖案的柱子表面暴露，對底膠進(jìn)行刻蝕直到GaN外延片暴露，以硅摻雜膠為掩模刻蝕外延片，經(jīng)上述三步刻蝕得到表面具有孔狀光子晶體結(jié)構(gòu)，后續(xù)處理后即可得所述孔狀表面光子晶體LED。本發(fā)明還公開了利用上述方法制備得到的GaN基孔狀光子晶體LED。本發(fā)明利用納米壓印技術(shù)和孔狀硬質(zhì)模板，借助第二層硅摻雜膠的特殊性和對刻蝕氣體的選擇性，僅一步壓印后刻蝕即可實(shí)現(xiàn)孔模板到孔狀光子晶體的轉(zhuǎn)移。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人張錚;徐智謀;孫堂友;何健;張學(xué)明;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201310054509.X
- 申請時(shí)間2013年02月20日
- 申請公布號CN103151436B
- 申請公布時(shí)間2015年12月09日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;
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