摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該芯片包括：襯底、依次層疊在襯底上的緩沖層、不摻雜的GaN層、n型層、量子阱發(fā)光層、p型層，不摻雜的GaN層的與n型層接觸的表面上設(shè)有若干個(gè)孔洞，每個(gè)孔洞中沉積有熒光粉，且每個(gè)孔洞中的熒光粉的厚度小于孔洞的深度。本發(fā)明通過(guò)在不摻雜的GaN層上設(shè)置若干個(gè)孔洞，n型層位于不摻雜的GaN層上，減小了GaN層與n型層的晶格不匹配的差異，降低了n型層中的缺陷密度，有利于外延層中應(yīng)力的釋放和減少了缺陷對(duì)量子阱有源區(qū)的影響，提高了發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率和亮度；且孔洞中設(shè)有熒光粉，增加了發(fā)光二極管的外量子效率，提高了發(fā)光二極管亮度。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人張建寶;劉權(quán);
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310040746.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年02月01日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103117346B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年10月28日
- 分類(lèi)號(hào)H01L33/20(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;
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