摘要：本發(fā)明涉及本一種具有彎曲襯底側(cè)面的發(fā)光二極管及其制備方法；通過兩束光激光束對晶片進行劃片時，調(diào)整兩束激光束聚焦點在晶片中的位置，使得二極管芯片的襯底側(cè)面是傾斜/彎曲的，并能降低總的劃片深度，本發(fā)明改善了傳統(tǒng)發(fā)光二極管芯片出光效率低的缺陷，所制得的發(fā)光二極管芯片出光效率得到提高，并且裂片成品率和均勻性得到改善。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人羅紅波;張建寶;周武;劉榕;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201110199127.7
- 申請時間2011年07月15日
- 申請公布號CN102270717B
- 申請公布時間2013年03月06日
- 分類號H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B23K26/36(2006.01)I;B23K26/42(2006.01)I;
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