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產(chǎn)品總數(shù)：5
IFG200 FAB/離子槍
簡介:HidenIFG200快速原子轟擊/離子槍（FAB/IonGun）是采用技術(shù)的FAB/離子槍，進(jìn)行靜態(tài)、動(dòng)態(tài)SIMS研究，表面和深度分析。應(yīng)用：靜態(tài)、動(dòng)態(tài)SIMS研究俄歇電子波譜離子束濺射絕緣體的FAB/SIMS研究表面科學(xué)研究光柵/深度分析特點(diǎn)：2mm原子或離子束，當(dāng)能量從0.5～5keV.FAB研究中，電荷交換室...
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IG20 離子槍
簡介:HidenIG20離子槍（IonGun），先進(jìn)的離子槍，配合SIMS進(jìn)行材料表面和深度的分析。應(yīng)用：靜態(tài)、動(dòng)態(tài)SIMS俄歇電子譜離子束濺射表面科學(xué)研究光柵/深度分析特點(diǎn)：具有100m光斑直徑的、0.5～5keV能量的強(qiáng)離子束高電流密度4.5mA/cm2電子轟擊離子源具有氬和氧離子能力掃描線散射和離子束光...
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3F/IDP 離子脫附分析質(zhì)譜
簡介:HidenIDP(IonDesorptionProbe)離子脫附分析探針用于研究ESD,PSDorUHV-TPD研究中釋放出的低能量核素。IDP是電子、光子激發(fā)脫附研究中，進(jìn)行離子、中性粒子、自由基的質(zhì)量、能量分析的三級過濾四極質(zhì)譜儀。應(yīng)用：釋出組分的快速質(zhì)量、能量監(jiān)測選通輸入分析，進(jìn)行瞬時(shí)/TOF研究用表觀M...
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二次離子質(zhì)譜工作站
簡介:HidenSIMS工作站(SIMSWorkstation－acompleteSIMSAnalysisFacility)，綜合UHV/SIMS設(shè)備，進(jìn)行的表面分析?？煽康摹⑵毡檫m用的SIMS分析工作站。應(yīng)用：各類型樣品的快速轉(zhuǎn)向靜態(tài)、動(dòng)態(tài)SIMS整合的離子源，便于RGA和SNMS表面改性/光柵研究SIMS表面繪圖/成像表面污染物分析特點(diǎn)：HidenE...
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二次離子質(zhì)譜
簡介:二次離子質(zhì)譜SIMS-SecondaryIonMassSpectrometer儀器介紹EQS是差式泵式二次離子質(zhì)譜（SIMS-SecondaryIonMassSpectrometerBolt-Onprobe），可分析來自固體樣品的二次陰、陽離子和中性粒子。采用技術(shù)的SIMS探針，便于連結(jié)到現(xiàn)有的UHV表面科學(xué)研究反應(yīng)室。主要特點(diǎn)高靈敏度脈沖離子計(jì)...
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