摘要：本實(shí)用新型公開(kāi)了一種發(fā)光二極管及其制造方法，該發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)包括底座、發(fā)光二極管芯片和發(fā)光二極管芯片上的發(fā)光層，發(fā)光層上表面有金屬納米材料包覆層。由于金屬納米結(jié)構(gòu)較大的比表面積，因而具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，將金屬納米材料包覆在發(fā)光層上表面，可以有效傳導(dǎo)發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量，防止發(fā)光二極管芯片高溫老化，延長(zhǎng)發(fā)光二極管的使用壽命。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人中山達(dá)華智能科技股份有限公司;
- 發(fā)明人閉偉煥;趙文強(qiáng);李紹榮;于軍勝;馬云輝;
- 地址528400 廣東省中山市小欖鎮(zhèn)泰豐工業(yè)區(qū)水怡南路9號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201320125755.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年03月15日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN203165950U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年08月28日
- 分類號(hào)H01L33/64(2010.01)I;
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