IC/5膜層控制儀
多用途的IC/5理想地適用于控制多源、多坩堝、多材料或多過程系統(tǒng)的膜層沉積速率和膜厚。IC/5可滿足即使復(fù)雜、要求與特殊應(yīng)用的需要。它擅長于過程控制、邏輯功能、程序和膜層儲(chǔ)存容量、過程數(shù)據(jù)管理，尤其是沉積速率與膜厚的控制。
全面的過程控制
IC/5具有寬廣的功能，它可啟動(dòng)抽空過程、控制閥門、啟用基片加熱器等。這些增強(qiáng)的功能使系統(tǒng)無需配備輔助儀器，從而降低系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。IC/5的邏輯與控制功能包含100個(gè)可編程的邏輯狀態(tài)；I/O和TTL繼電器電路板提供多至24個(gè)繼電器輸出，28個(gè)TTL輸入，14個(gè)TTL輸出，20個(gè)計(jì)數(shù)和20個(gè)計(jì)時(shí)。邏輯狀態(tài)可與外輸入或輸出聯(lián)用。每個(gè)狀態(tài)可包含多至5個(gè)功能，并用布爾邏輯鏈接。IC/5可為源控制或圖形記錄儀輸出提供6個(gè)可賦值的模擬輸出、沉積速率、膜厚或沉積速率的偏離。
強(qiáng)力的過程處方和數(shù)據(jù)管理
IC/5膜層控制儀提供若干功能和選件，幫助用戶地管理過程處方和數(shù)據(jù)：
豐富的機(jī)載儲(chǔ)存 – 多至50個(gè)過程和250個(gè)膜層。允許即時(shí)進(jìn)入您使用的過程數(shù)據(jù)和處方文件。這個(gè)進(jìn)入性對(duì)包含許多膜層的復(fù)雜過程，對(duì)運(yùn)行于多種工藝過程的鍍膜系統(tǒng)，以及對(duì)研制或工藝發(fā)展等應(yīng)用尤其有價(jià)值。
磁盤驅(qū)動(dòng)選件 – 用于無限制地儲(chǔ)存過程數(shù)據(jù)和處方。離線編輯軟件選件 – 用于在計(jì)算機(jī)（不是IC/5面板）上，鍵入或輸入數(shù)據(jù)。用這個(gè)軟件編程更為方便與有效，尤其對(duì)多層膜和多材料過程。數(shù)據(jù)記錄 – 有關(guān)的過程信息（終膜厚，平均沉積速率，運(yùn)行次數(shù)，膜層數(shù)等）可用ASCII格式自動(dòng)記錄入遙控通訊端口、打印機(jī)端口或磁盤中。采用磁盤驅(qū)動(dòng)選件，IC/5可將數(shù)據(jù)保存于展開的格式中，使過程的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與處理簡(jiǎn)易化。數(shù)據(jù)記錄可方便地進(jìn)行運(yùn)行后分析與快速的校正作用。對(duì)于遵循ISO9000或QA認(rèn)證的生產(chǎn)，過程跟蹤是必不可少的。
Auto Z – 用于多層材料的精密鍍膜
IC/5自動(dòng)確定Z比值的Auto Z技術(shù)，提高了鍍層膜厚與沉積速率的控制精度，用戶不再需要計(jì)算聲阻（Z）比值3。當(dāng)在晶體上沉積多種材料時(shí)，比值Z隨材料在晶體上的比例而變化，因此，Z值的變化是動(dòng)態(tài)的。Auto Z連續(xù)修正過程進(jìn)行中的Z比值。在單一晶體上沉積分層的或合金材料的過程中，為保持精確的膜層厚度和沉積速率，這個(gè)功能是尤其重要的。
3Auto Z – 美國號(hào)5,112,642
| In/MgF2鍍膜的AUTO Z精度 AUTO Z大大地提高了多層材料和膜層測(cè)量的膜厚精度。 |
AUTO TUNE – 用于快速設(shè)置
IC/5的Auto Tune功能免除了反復(fù)試探的步驟，節(jié)省了設(shè)置時(shí)間，它可快速地自動(dòng)確定源的反饋控制閉環(huán)常數(shù)。Auto Tune選擇若干控制算法中的算法 – 包括三參數(shù)PID（正比，積分，微分）算法 – 達(dá)到對(duì)各種各樣源的平穩(wěn)控制。
多傳感件測(cè)量 – 用于高重復(fù)性
對(duì)某些光學(xué)鍍膜和其它應(yīng)用，重復(fù)性與均勻度是尤其重要的。IC/5控制儀可集成多至8個(gè)傳感件的測(cè)量，將源的不均勻分布效應(yīng)降至小，并確保上一次與下一次鍍膜運(yùn)行之間的膜層沉積速率和終膜厚良好的一致性。當(dāng)基片在行星基片架上旋轉(zhuǎn)時(shí)，IC/5從各個(gè)傳感件的位置上同時(shí)收集數(shù)據(jù)，確保取得的信息代表當(dāng)前源的分布。與單個(gè)傳感件的控制儀比較，多傳感件測(cè)量由于控制膜層的固定總合沉積速率、與源分布中的波動(dòng)無關(guān)，大大地改善了膜厚的重復(fù)性。當(dāng)源的分布模式改變時(shí)，IC/5適當(dāng)?shù)卣{(diào)整功率。盡管任何一個(gè)傳感件上的沉積速率可有相當(dāng)大的變化而總的沉積速率保持不變。沉積于每個(gè)基片上的材料總量受到精確的控制；總的膜厚精度與單個(gè)傳感件的控制儀相比可提高兩至三倍。由于準(zhǔn)確地探測(cè)源的耗損導(dǎo)致的特性變化，多傳感件測(cè)量可幫助您：
預(yù)計(jì)何時(shí)需再添加源
確定電子槍的掃描、射程和高頻率振動(dòng)等參數(shù)的設(shè)置值
配制更好的過程處方
因?yàn)樗袀鞲屑溄又烈慌_(tái)IC/5控制儀，對(duì)機(jī)柜的空間要求小，其校正速度比老式的多控制儀/計(jì)算機(jī)組合結(jié)構(gòu)要快三至五倍。
精確的共沉積
IC/5控制兩種材料的同時(shí)鍍膜。它包含一個(gè)編程的比值參數(shù)，在變化的沉積速率中控制合金的比率，還有一個(gè)交叉靈敏度（或串適）參數(shù)，自動(dòng)補(bǔ)償來自一個(gè)源的材料鍍覆至用于控制另一個(gè)源的傳感件上。Auto Z功能還對(duì)IC/5的共沉積有貢獻(xiàn)，當(dāng)不同材料混合在一個(gè)晶體上時(shí)保持膜厚的精度。
容易裝入現(xiàn)有的裝置中
