摘要：本實用新型公開了一種用于制備二硫化鉬薄膜的分子束外延生長裝置，其特征在于，所述裝置包括超高真空反應(yīng)腔、控制器、襯底加熱器、襯底托板架和分子束源爐，所述控制器通過操縱桿透過超高真空反應(yīng)腔上部連接襯底加熱器，所述襯底加熱器位于超高真空反應(yīng)腔中部；所述襯底托板架與襯底加熱器相對設(shè)置；所述分子束源爐通過分子束源爐接口連接到超高真空反應(yīng)腔的下部，其中分子束源爐接口與所述襯底托板架傾斜相對；所述分子束源爐包括氧化鉬分子束源爐和硫分子束源爐。采用本裝置可實現(xiàn)分子束外延技術(shù)可控生長二硫化鉬薄膜，且生長的二硫化鉬薄膜結(jié)構(gòu)規(guī)則，表面平整。
- 專利類型實用新型
- 申請人廈門烯成新材料科技有限公司;
- 發(fā)明人王振中;
- 地址361015 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓南樓S301C室
- 申請?zhí)?/b>CN201520310719.5
- 申請時間2015年05月14日
- 申請公布號CN204644499U
- 申請公布時間2015年09月16日
- 分類號C30B25/02(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;
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