摘要：本實(shí)用新型提供一種用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置，屬太陽能電池制造裝配和加工技術(shù)領(lǐng)域，包括依次連接的反應(yīng)沉積腔、反應(yīng)排空腔和真空系統(tǒng)；所述反應(yīng)沉積腔內(nèi)包括硅片承載單元、加熱單元、前驅(qū)物進(jìn)料單元、吹掃氣體進(jìn)氣單元；本實(shí)用新型通過將至少兩種氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)，從而形成沉積膜。本實(shí)用新型有效彌補(bǔ)了現(xiàn)有反應(yīng)裝置中產(chǎn)能低、氣態(tài)反應(yīng)前驅(qū)物在硅片表面分布不均、硅片表面存在溫度梯度及氣態(tài)反應(yīng)前驅(qū)物無法排空等缺陷，大幅提升原子層薄膜沉積裝置的硅片產(chǎn)能和沉積速率并有效提高原子層薄膜的沉積質(zhì)量。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人潘龍;劉東;彭文芳;常青;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
- 申請?zhí)?/b>CN201420141763.3
- 申請時(shí)間2014年03月27日
- 申請公布號CN203794984U
- 申請公布時(shí)間2014年08月27日
- 分類號C23C16/44(2006.01)I;
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