一種低溫燒結(jié)高熱導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷及其制備方法

　　摘要：本發(fā)明公開了一種低溫燒結(jié)高熱導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷，包括氮化鋁、氧化釔和氟化鑭，氮化鋁的質(zhì)量百分比為95％～97％，氧化釔的質(zhì)量百分比為2％，氟化鑭的質(zhì)量百分比為1％～3％。還公開了制備氮化鋁陶瓷的方法，包括將氮化鋁粉體、氧化釔和氟化鑭混合，經(jīng)濕法球磨、干燥、造粒、壓制并燒結(jié)，制得氮化鋁陶瓷。本發(fā)明所提供的氮化鋁陶瓷燒結(jié)溫度低至1700℃～1800℃，其熱導(dǎo)率可達到160～200W/(m·K)，介電常數(shù)為9～10，介電損耗為0.8×10^?3～1.3×10^?3，可以滿足半導(dǎo)體器件和集成電路等產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用要求。

專利類型發(fā)明專利
申請人華中科技大學(xué);
發(fā)明人呂文中;丁利文;范桂芬;姜海;史玉升;李晨輝;
地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
申請?zhí)?/b>CN201610906824.4

申請時間2016年10月18日

申請公布號CN106542828A

申請公布時間2017年03月29日

分類號C04B35/581(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;

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