摘要：本發(fā)明涉及一種介孔SiO2薄膜的制備方法，包括如下的步驟：1)將正硅酸四乙酯溶于乙醇，滴加稀鹽酸，混合攪拌；所述的正硅酸四乙酯與稀鹽酸的摩爾比為1:1×10?5～8×10?5；2)向步驟1)得到的混合液中繼續(xù)滴加稀鹽酸，攪拌陳化，得到溶液A；所述的繼續(xù)滴加的稀鹽酸與正硅酸四乙酯的摩爾比為0.02～0.06:1；3)十六烷基三甲基溴化銨溶于乙醇，得到溶液B；4)將溶液B加入到溶液A中，攪拌并陳化0.5～2小時，得到產(chǎn)品；5)采用旋涂法在基板上鍍膜，然后熱處理，獲得介孔SiO2薄膜；本發(fā)明還涉及介孔SiO2薄膜及其應(yīng)用。本發(fā)明簡化了介孔SiO2薄膜的合成方法，在常溫下制備溶膠并進(jìn)行鍍膜，經(jīng)過熱處理后得到具有增透效果的孔道有序排列的介孔膜。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人浙江大學(xué);
- 發(fā)明人趙高凌;張馨文;占豐;詹凌曈;孟偉杰;韓高榮;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區(qū)浙大路38號
- 申請?zhí)?/b>CN201610368262.2
- 申請時間2016年05月27日
- 申請公布號CN106045330A
- 申請公布時間2016年10月26日
- 分類號C03C17/23(2006.01)I;
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