摘要：本發(fā)明提供了一種新型硅鐿量子面等離子體光源及其制備方法。本發(fā)明采用在硅襯底上形成硅鐿量子面等離子體光源結(jié)構(gòu)，可以在低頻率泵浦光作用下發(fā)射較強(qiáng)的高頻率光子，其等離子體發(fā)光具有低頻率激發(fā)高頻率和球形發(fā)光的特征，實(shí)現(xiàn)了光泵浦在可見(jiàn)光區(qū)的等離子體強(qiáng)發(fā)光（外量子效率大于50%）和在1400nm到1600nm光通信波段的發(fā)光，其等離子體發(fā)光具有低頻率激發(fā)高頻率和球形發(fā)光的特征。本發(fā)明不同于半導(dǎo)體LED和LD光源的發(fā)光機(jī)理，具有全新的發(fā)光物理機(jī)理與模型，并采用了新的PLE-PLD復(fù)合納米制備方法及技術(shù)；解決了用低頻率泵浦高頻率發(fā)光的問(wèn)題，提供了半導(dǎo)體照明的新光源和硅芯片光互聯(lián)的新光源，可以有很好的新型硅鐿等離子體光源應(yīng)用。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人黃偉其;
- 地址550025 貴州省貴陽(yáng)市花溪區(qū)貴州大學(xué)北校區(qū)科學(xué)技術(shù)處
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510513274.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年08月20日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105206502A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年12月30日
- 分類(lèi)號(hào)H01J65/04(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;
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