摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種新型高雙折射光子準(zhǔn)晶光纖，其背景材料為SiO2，整個(gè)結(jié)構(gòu)的散射子以十重Penrose型光子準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)排布，晶格常數(shù)為Λ，包層圓形空氣孔直徑分別為d3和d4，其中：d3取自十重Penrose型光子準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)第三至五層的散射子，d4取自十重Penrose型光子準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)第六至九層的散射子；在芯區(qū)引入六個(gè)圓形空氣孔，其中：上下四個(gè)圓形空氣孔直徑為d1，取自十重Penrose型光子準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)第二層靠近±Y軸四個(gè)散射子，左右兩個(gè)圓形空氣孔直徑為d2，取自十重Penrose型光子準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)第三層±X軸上兩個(gè)散射子；為增強(qiáng)不對(duì)稱性以提高雙折射率，在±Y軸上1.3×Λ處引入兩個(gè)直徑為d5的圓形空氣孔。本發(fā)明具有模場(chǎng)能量分布集中以及降低現(xiàn)有工藝水平對(duì)光纖制備的限制的優(yōu)勢(shì)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人湖南大學(xué);
- 發(fā)明人劉建軍;劉鴻飛;蔡偉成;肖威;馮波;王梓名;王爍;梁泰源;
- 地址410082 湖南省長(zhǎng)沙市岳麓區(qū)麓山南路麓山門
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510407666.3
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年07月13日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105022113A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年11月04日
- 分類號(hào)G02B6/02(2006.01)I;
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