摘要：本發(fā)明公開了一種高精度陶瓷電路板的制作方法，包括將激光照射在覆蓋了鈀離子固態(tài)薄膜的陶瓷基板表面，控制激光能量密度達(dá)到基板改性閾值以上，使陶瓷基板表面形成V型微槽結(jié)構(gòu)，該微槽內(nèi)鈀離子被還原成原子態(tài)并在高溫下與氧原子結(jié)合形成化學(xué)穩(wěn)定性極高的氧化鈀，并與基板形成牢固的冶金結(jié)合，而激光熱影響區(qū)內(nèi)基板表面結(jié)構(gòu)未發(fā)生改變，鈀離子僅被還原成金屬鈀。通過化學(xué)清洗步驟，選擇性清除熱影響區(qū)內(nèi)的金屬鈀，留下微槽結(jié)構(gòu)內(nèi)的氧化鈀作為催化化學(xué)鍍反應(yīng)的活性中心。然后實(shí)施化學(xué)鍍，可以得到高精度導(dǎo)電線路。該技術(shù)能夠在陶瓷基板的表面快速制備導(dǎo)電線路，對(duì)基板材料無特殊要求，所得導(dǎo)電線路精度高，導(dǎo)電性好，結(jié)合力強(qiáng)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人呂銘;曾曉雁;劉建國(guó);
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410314204.2
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年07月02日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104105353B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年09月09日
- 分類號(hào)H05K3/18(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I;
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