摘要：本發(fā)明公開了一種欠壓鎖存電路。該電路的肖特基勢(shì)壘二極管的陽極接地，陰極接第一PMOS晶體管的柵極、第二PMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的柵極和第二NMOS晶體管的柵極并通過RC電路接電壓源；欠壓鎖存電壓信號(hào)輸出端接第二PMOS晶體管的漏極、第一NMOS晶體管的漏極、第三POS晶體管的柵極和第三NMOS晶體管的柵極；第一PMOS晶體管的源極接電壓源，漏極接第二PMOS晶體管的源極和第三PMOS晶體管的源極；第二NMOS晶體管的源極接地，漏極接第一NMOS晶體管的源極和第三NMOS晶體管的源極；第三PMOS晶體管的漏極接地；第三NMOS晶體管的漏極接電壓源。結(jié)構(gòu)簡單，節(jié)省成本，功耗低。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人鄭州單點(diǎn)科技軟件有限公司;
- 發(fā)明人王曉娟;周曉東;王紀(jì)云;
- 地址450016 河南省鄭州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)第八大街信息產(chǎn)業(yè)園1228室
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210354245.5
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年09月21日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103684356A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年03月26日
- 分類號(hào)H03K3/013(2006.01)I;
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