摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：提供發(fā)光二極管芯片的外延片；在外延片上設(shè)置透明導(dǎo)電層、第一電極和第二電極，第二電極設(shè)于透明導(dǎo)電層上；在透明導(dǎo)電層上沉積金屬層；在金屬層上勻上光刻膠，并采用光刻技術(shù)制作光刻膠的根須母體，根須母體呈長條狀且從第二電極延伸；在設(shè)有根須母體的金屬層上沉積一層硅化物，并采用干法刻蝕去掉除根須母體側(cè)面的硅化物以外的硅化物；采用有機(jī)溶劑除去根須母體，得到硅化物根須，硅化物根須由根須母體兩側(cè)的硅化物形成；以硅化物根須為掩膜刻蝕金屬層，并在刻蝕完成后去掉硅化物根須，得到電流擴(kuò)展根須。本發(fā)明通過上述方案提高了電流擴(kuò)展能力。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人金迎春;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請?zhí)?/b>CN201210544495.5
- 申請時(shí)間2012年12月13日
- 申請公布號(hào)CN103035796A
- 申請公布時(shí)間2013年04月10日
- 分類號(hào)H01L33/14(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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