摘要：本發(fā)明的目的在于提供自關(guān)斷可控硅等效電路，其包括晶體管或復(fù)合管或DMOS管Q1、晶體管或復(fù)合管或DMOS管Q2、箝位限流保護電路以及開關(guān)管Q3，其中：所述晶體管或復(fù)合管或DMOS管Q1的發(fā)射極作為陽極A，基極與箝位限流保護電路的一端相連接；所述箝位限流保護電路的另一端與所述陽極A相連接；所述開關(guān)管Q3的基極作為控制極G，集電極與所述晶體管或復(fù)合管或DMOS管Q1的集電極相連接，發(fā)射極與所述晶體管或復(fù)合管或DMOS管Q2的基極相連接；所述晶體管或復(fù)合管或DMOS管Q2的集電極與所述晶體管或復(fù)合管或DMOS管Q1的基極相連接，發(fā)射極作為陰極K。本發(fā)明所提供的自關(guān)斷可控硅等效電路可實現(xiàn)電流驅(qū)動，只要有無電流就可輕易實現(xiàn)開斷，方便進行低壓電流的自動化控制，解決了現(xiàn)有技術(shù)中在關(guān)斷時需要反向脈沖，不易關(guān)斷的缺點。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京雪迪龍科技股份有限公司;
- 發(fā)明人林計平;
- 地址102206 北京市昌平區(qū)回龍觀國際信息產(chǎn)業(yè)基地3街3號
- 申請?zhí)?/b>CN201110460626.7
- 申請時間2011年12月31日
- 申請公布號CN102522972A
- 申請公布時間2012年06月27日
- 分類號H03K17/72(2006.01)I;
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