摘要：本發(fā)明涉及一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離(CID)性能的方法，所述離子阱包括端電極；特點是：對離子進行CID的過程中，施加在所述端電極上的電壓信號包含多個頻率成分，其中具有處于[(f-1)kHz，(f+1)kHz]內(nèi)的頻率成分，f(kHz)是要進行CID的離子的共振頻率，所述電壓信號是一個包含某個頻率范圍內(nèi)的所有頻率成分的寬頻信號，也可以是一個頻率隨時間變化的掃頻信號。本發(fā)明還提供了一種提高離子阱碰撞誘導(dǎo)解離性能的裝置。本發(fā)明可消除空間電荷效應(yīng)或射頻束縛電壓波動等帶來的影響，提高了CID效率和重復(fù)性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人聚光科技(杭州)股份有限公司;
- 發(fā)明人劉立鵬;吳文明;朱文明;鄭毅;邱明;甘劍勤;吳先偉;其他發(fā)明人請求不公開姓名;
- 地址310052 浙江省杭州市濱江區(qū)濱安路760號
- 申請?zhí)?/b>CN201010622405.0
- 申請時間2010年12月31日
- 申請公布號CN102103974B
- 申請公布時間2013年02月20日
- 分類號H01J49/42(2006.01)I;H01J49/10(2006.01)I;
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